MRFE6S9205HR3 MRFE6S9205HSR3
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
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AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
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EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
Oct. 2007
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Initial Release of Data Sheet
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MRFE6VP100HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 100W 50V ISM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP100HR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6VP Series 1 GHz 100 W 26 dB Gain PNP RF Power Transistor - CASE 017 AA
MRFE6VP100HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 100W 50V ISM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP5600HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP5600HR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6VP Series 600 MHz 600 W 50 V N-Channel RF Power MOSFET - CASE 375D-5
MRFE6VP5600HR6 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP5600HR6_11 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors